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IRLZ44PBF

更新时间： 2024-11-29 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1630K
描述
Power MOSFET

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IRLZ44PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.21Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：186886
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：IRLZ44PBF
Samacsys Released Date：2019-02-03 14:41:35Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ44PBF 数据手册

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IRLZ44, SiHLZ44  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60 V  
Available  
• Logic-Level Gate Drive  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
VGS = 5.0 V  
0.028  
RoHS*  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
66  
12  
COMPLIANT  
Q
gd (nC)  
43  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRLZ44PbF  
SiHLZ44-E3  
IRLZ44  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHLZ44  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Gate-Source Voltage  
VGS  
10  
V
Continuous Drain Currente  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
50  
36  
VGS at 5.0 V  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
200  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
EAS  
PD  
400  
TC = 25 °C  
150  
W
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 179 µH, RG = 25 Ω IAS = 51 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 51 A, dV/dt ≤ 250 A/s, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package, (die current = 51 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91328  
S-81274-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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