5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRLZ44ZS
IRLZ44ZS PDF预览

IRLZ44ZS

更新时间： 2024-09-15 21:54:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 303K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLZ44ZS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：78 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：51 A最大漏源导通电阻：0.0135 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：204 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ44ZS 数据手册

 浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLZ44ZS的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95849  
IRLZ44Z  
IRLZ44ZS  
IRLZ44ZL  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
Logic Level  
Advanced Process Technology  
D
VDSS = 55V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
RDS(on) = 13.5mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
ID = 51A  
S
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
D2Pak  
TO-262  
IRLZ44ZL  
TO-220AB  
IRLZ44Z  
IRLZ44ZS  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
36  
A
204  
80  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.53  
± 16  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
78  
110  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.87  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
3/2/04  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRLZ44ZS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLZ44ZSPBF INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5
MTB60N05HDL MOTOROLA

功能相似

 60A, 50V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
RFD14N06LSM INTERSIL

功能相似

 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

与IRLZ44ZS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLZ44ZSPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5
IRLZ44ZSTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ44ZSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ44ZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ4S INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IR-M005AJ SHARP

获取价格

 		Narrow Band Medium Power Amplifier, 1710MHz Min, 1910MHz Max, CERAMIC, LCC, 16 PIN
IRM-01 MEANWELL

获取价格

 		UNIVERSAL AC INPUT/FULL RANGE
IR-M010 SHARP

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET
IR-M011 SHARP

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET
IRM-01-12 MEANWELL

获取价格

 		AC/DC CONVERTER 12V 1W

与IRLZ44ZS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证