IRLZ44ZSPBF

更新时间： 2024-11-06 04:23:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
13页	358K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)

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IRLZ44ZSPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.93
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	78 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	51 A	最大漏极电流 (ID)：	51 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	204 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLZ44ZSPBF 数据手册

PD - 95539

IRLZ44ZPbF

IRLZ44ZSPbF

IRLZ44ZLPbF

AUTOMOTIVE MOSFET

Features

Logic Level

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 13.5mΩ

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

Description

I_D= 51A

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D²Pak

TO-262

IRLZ44ZL

TO-220AB

IRLZ44Z

IRLZ44ZS

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

204

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.53

± 16

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

110

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.87

–––

Units

°C/W

R_θJC

Junction-to-Case

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

www.irf.com

7/21/04

12 3 4 5 6 7...13

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IRLZ44ZSPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLZ44ZPBF	INFINEON	完全替代	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5
IRFZ44ZSPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRLZ44NSPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRLZ44ZSPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLZ44ZSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ44ZSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ44ZSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLZ4S	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IR-M005AJ	SHARP	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier, 1710MHz Min, 1910MHz Max, CERAMIC, LCC, 16 PIN
IRM-01	MEANWELL	获取价格	UNIVERSAL AC INPUT/FULL RANGE
IR-M010	SHARP	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET
IR-M011	SHARP	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET
IRM-01-12	MEANWELL	获取价格	AC/DC CONVERTER 12V 1W
IRM-01-12S	MEANWELL	获取价格	AC/DC CONVERTER 12V 1W

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