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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ44STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44STRRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ44Z | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRLZ44ZL | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRLZ44ZLPBF | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5 |
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| IRLZ44ZPBF | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5 |
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| IRLZ44ZPBF_10 | INFINEON |
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Logic Level, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance |
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| IRLZ44ZS | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRLZ44ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5 |
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| IRLZ44ZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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