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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 857 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 260 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 175 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 180 ns | 最大开启时间（吨）： | 100 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ44N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44N-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44N-024 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLZ44NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLZ44NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NS/L | INFINEON |
获取价格 |
Logic-Level Gate Drive |
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| IRLZ44NSLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Logic-Level Gate Drive |
|
| IRLZ44NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRLZ44NSPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Advnaced Process Technology |
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