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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ44A | SAMSUNG |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRLZ44N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44N-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44N-024 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLZ44NS | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NS/L | INFINEON |
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Logic-Level Gate Drive |
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| IRLZ44NSLPBF | INFINEON |
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Logic-Level Gate Drive |
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| IRLZ44NSPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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