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IRLZ34N

更新时间： 2024-11-26 22:51:39
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 107K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLZ34N 数据手册

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PD - 9.1307B  
IRLZ34N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.035Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 30A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowestpossibleon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levelstoapproximately50watts. Thelowthermalresistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
30  
21  
A
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
68  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
±16  
VGS  
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current  
110  
mJ  
IAR  
16  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
6.8  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
––––  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
0.50  
––––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
2.2  
––––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
8/25/97  
12345678

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IRLZ34N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLZ34NPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
IRLZ34N NXP

功能相似

 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

与IRLZ34N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLZ34N-010 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ34NL INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLZ34NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRLZ34NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLZ34NS INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLZ34NSL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRLZ34NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRLZ34NSTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ34NSTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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