是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.04 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 88 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLZ34S, SiHLZ34S | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ34SPBF | VISHAY |
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暂无描述 | |
IRLZ34STRL | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRLZ34STRR | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRLZ40 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET | |
IRLZ44 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ44 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) | |
IRLZ44 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET | |
IRLZ44_11 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ44-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |