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IRLZ34NS

更新时间： 2024-10-31 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLZ34NS 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ34NS 数据手册

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Index  
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PD - 9.1308A  
IRLZ34NS  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount  
D
VDSS = 55V  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.035Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 27A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowestpossibleon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
D 2 Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current   
27  
19  
A
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
56  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.37  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
±16  
Single Pulse Avalanche Energy ‚ꢀ  
Avalanche Current  
110  
mJ  
A
16  
5.6  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
10  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
––––  
Max.  
2.7  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount,steady-state)**  
To Order  
11/11/96  
 
 
12345678

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IRLZ34NS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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