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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.71 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.046 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ34NSPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
|
| IRLZ34NS | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ34NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLZ34NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLZ34PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLZ34S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLZ34S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLZ34S, SiHLZ34S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLZ34SPBF | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRLZ34STRL | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLZ34STRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRLZ40 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET |
|
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