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IRL540STRLPBF PDF预览

IRL540STRLPBF

更新时间： 2024-11-18 11:10:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 275K
描述
Power MOSFET

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IRL540STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.15其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：440 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL540STRLPBF 数据手册

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IRL540S, SiHL540S  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
100  
Definition  
• Surface Mount  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic-Level Gate Drive  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175 °C Operating Temperature  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
RDS(on) ()  
VGS = 5 V  
0.077  
Qg (Max.) (nC)  
64  
9.4  
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Q
27  
Configuration  
Single  
DESCRIPTION  
D
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
D2PAK (TO-263)  
The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package  
capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides  
the highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK (TO-263) is suitable for high current applications  
because of its low internal connection resistance and can  
dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.  
G
D
G
S
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
D2PAK (TO-263)  
SiHL540S-GE3  
IRL540SPbF  
D2PAK (TO-263)  
SiHL540STRL-GE3a  
IRL540STRLPbFa  
SiHL540STL-E3a  
Lead (Pb)-free  
SiHL540S-E3  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
10  
VDS  
VGS  
V
28  
20  
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
Continuous Drain Current  
VGS at 5 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta  
Linear Derating Factor  
IDM  
110  
1.0  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
0.025  
440  
28  
mJ  
A
mJ  
EAS  
IAR  
EAR  
Repetiitive Avalanche Energya  
15  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
150  
3.7  
5.5  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
W
V/ns  
°C  
PD  
dV/dt  
- 55 to + 175  
300d  
TJ, Tstg  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 841 μH, Rg = 25 , IAS = 28 A (see fig. 12).  
c. ISD 28 A, dI/dt 170 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90386  
S11-1045-Rev. C, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL541 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-220AB
IRL5602S INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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