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IRL5NJ024SCX

更新时间： 2024-11-19 14:56:15
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 115K
描述
55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Screening Level TX

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IRL5NJ024SCX 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：56 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL5NJ024SCX 数据手册

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PD - 93955A  
LOGIC LEVEL  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
IRL5NJ024  
55V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
DSS  
RDS(on)  
ID  
IRL5NJ024  
55V  
0.06Ω  
17A  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
SMD-0.5  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Logic Level Gate Drive  
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
17  
11  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
68  
DM  
@ T = 25°C  
P
35  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.28  
±16  
56  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
3.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.3  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300 (for 5 s)  
2.6  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
7/13/01  
1234567

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与IRL5NJ024SCX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL5NJ7404 INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 20V, P-CHANNEL
IRL5NJ7404SCS INFINEON

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 		-20V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package. - Standard Packaging
IRL5NJ7404SCV INFINEON

获取价格

 		-20V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package. - Screening Level TXV
IRL5NJ7404SCX INFINEON

获取价格

 		-20V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package. - Screening Level TX
IRL5NJ7404SCXB INFINEON

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 		-20V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package. - Screening Level TX Lead Form U
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