IRL540SPBF

更新时间： 2024-11-18 11:10:23

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
9页	275K
描述
Power MOSFET

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IRL540SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.12
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL540SPBF 数据手册

IRL540S, SiHL540S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

100

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• 175 °C Operating Temperature

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

R_DS(on)()

V_GS= 5 V

0.077

Q_g(Max.) (nC)

9.4

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

D²PAK (TO-263)

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHL540S-GE3

IRL540SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHL540STRL-GE3^a

IRL540STRLPbF^a

SiHL540STL-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHL540S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 5 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

110

1.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

0.025

440

E_AS

I_AR

E_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

150

3.7

5.5

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

V/ns

°C

P_D

dV/dt

- 55 to + 175

300^d

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 841 μH, R_g= 25 , I_AS= 28 A (see fig. 12).

c. I_SD 28 A, dI/dt  170 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90386

S11-1045-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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