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IRL520LPBF

更新时间： 2024-10-14 21:18:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 277K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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IRL520LPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.2 A
最大漏极电流 (ID)：9.2 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL520LPBF 数据手册

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IRL520L, SiHL520L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
100  
R
DS(on) ()  
VGS = 5 V  
0.27  
• Dynamic dV/dt Rating  
Qg (Max.) (nC)  
12  
3.0  
• Repetitive Avalanche Rated  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Logic-Level Gate Drive  
7.1  
• RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175°C Operating Temperature  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Configuration  
Single  
D
I2PAK (TO-262)  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
S
D
G
The I2PAK (TO-262) is a through hole power package  
capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides  
the highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package.  
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
I2PAK (TO-262)  
SiHL520L-GE3  
IRL520LPbF  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
Lead (Pb)-free  
SiHL520L-E3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
100  
10  
V
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
9.2  
Continuous Drain Current  
VGS at 5 V  
ID  
6.5  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
36  
Linear Derating Factor  
0.40  
0.025  
170  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
mJ  
A
9.2  
Repetiitive Avalanche Energya  
EAR  
6.0  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
60  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 3.0 mH, RG = 25 , IAS = 9.2 A (see fig. 12).  
c. ISD 9.2 A, dI/dt 110 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91467  
S11-1060-Rev. A, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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