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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.59 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 112 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL521 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-220AB |
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| IRL530 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRL530 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRL530 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRL530 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL530-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL530-009PBF | INFINEON |
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15A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRL530A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRL530AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL530N | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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