5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL520NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL520NS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRL520NSL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRL520NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Logic-Level Gate Drive |
|
| IRL520NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRL520NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRL520NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL520PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRL520S | ETC |
获取价格 |
|
|
| IRL520SPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
