IRL520NS

更新时间： 2024-11-19 04:23:07

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HEXFET Power MOSFET

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IRL520NS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	85 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL520NS 数据手册

PD - 91534

IRL520NS/L

HEXFET^®Power MOSFET

l Logic-Level Gate Drive

l Advanced Process Technology

l Surface Mount (IRL520NS)

l Low-profilethrough-hole(IRL520NL)

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 100V

R_DS(on)= 0.18Ω

l Fully Avalanche Rated

Description

I_D= 10A

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs

arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate

up to 2.0W in a typical surface mount application.

The through-hole version (IRL520NL) is available for low-

profileapplications.

T O -262

Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

7.1

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.8

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.32

±16

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

6.0

4.8

5.0

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

3.1

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

5/13/98

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IRL520NSPBF	INFINEON	获取价格	Logic-Level Gate Drive
IRL520NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL520NSTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL520NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL520PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL520S	ETC	获取价格
IRL520SPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL520SU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL521	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 7.9A I(D) \| TO-220AB

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