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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL520NSTRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL520PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL520S | ETC |
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| IRL520SPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520SU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL521 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-220AB |
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| IRL530 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRL530 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRL530 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRL530 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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