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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL530 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRL530 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRL530 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRL530 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL530-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL530-009PBF | INFINEON |
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15A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRL530A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRL530AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL530N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRL530NHR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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