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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL520-024PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advenced Power MOSFET |
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| IRL520L, SiHL520L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRL520LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IRL520N | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET?? Power MOSFET |
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| IRL520N-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL520NL | ETC |
获取价格 |
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
|
| IRL520NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Logic-Level Gate Drive |
|
| IRL520NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL520NS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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