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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL520-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-015PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-017PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-018PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-024PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520A | FAIRCHILD |
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Advenced Power MOSFET |
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| IRL520L, SiHL520L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL520LPBF | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IRL520N | INFINEON |
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HEXFET?? Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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