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IRL3705NPBF

更新时间: 2024-11-24 04:23:07
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页数 文件大小 规格书
8页 2396K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

IRL3705NPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.69Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级(Eas):340 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):77 A
最大漏极电流 (ID):89 A最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):130 W最大脉冲漏极电流 (IDM):310 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRL3705NPBF 数据手册

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PD - 94960  
IRL3705NPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
01/30/04  

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