IRL3705NPBF

更新时间： 2024-01-06 17:41:10

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IRL3705NPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.03	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	86 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	340 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 94960

IRL3705NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRL3705N	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLB3036PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRL3705N	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL3705NS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3705NSL	INFINEON	获取价格	Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3705NSTRL	INFINEON	获取价格	Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705S	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met