5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL3705N
IRL3705N PDF预览

IRL3705N

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 108K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRL3705N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.03其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：86 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL3705N 数据手册

 浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRL3705N的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 9.1370C  
IRL3705N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.01Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID=89Aꢀ  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220  
contribute to its wide acceptance throughout the  
industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
89ꢀ  
63  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
310  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
170  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.1  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 16  
340  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
46  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
17  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.90  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
8/25/97  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRL3705N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRL3705N INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRL3705N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL3705N/L INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRL3705N-010 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRL3705NL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRL3705NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL3705NS INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRL3705NSL INFINEON

获取价格

 		Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRL3705NSTRL INFINEON

获取价格

 		Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRL3705N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证