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IRL3705N

更新时间： 2024-11-23 22:48:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 108K
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HEXFET Power MOSFET

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PD - 9.1370C  
IRL3705N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.01Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID=89Aꢀ  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220  
contribute to its wide acceptance throughout the  
industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
89ꢀ  
63  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
310  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
170  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.1  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 16  
340  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
46  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
17  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.90  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
8/25/97  
12345678

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