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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL3705NSPBF
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IRL3705NSPBF

更新时间： 2024-11-24 04:23:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 294K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRL3705NSPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：340 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：89 A最大漏极电流 (ID)：89 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：310 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL3705NSPBF 数据手册

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PD - 95381  
IRL3705NSPbF  
l Logic-Level Gate Drive  
IRL3705NLPbF  
l Advanced Process Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount (IRL3705NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRL3705NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.01Ω  
G
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs  
arewellknownfor, providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
ID = 89A†  
S
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRL3705NL) is available for low-  
profileapplications.  
2
TO-262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
89†  
63  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
310  
3.8  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
170  
1.1  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 16  
340  
46  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
1.7  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.90  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
40  
06/08/04  
1234567...10

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IRL3705NSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRL3705NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NSTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NSTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705NSTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705S INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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