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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ULTRA FAST SWITCHING | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 380 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 49 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC40UPBF | INFINEON |
完全替代  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC40UD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4BC40UPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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| IRG4BC40W | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) |
|
| IRG4BC40WL | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4BC40WLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRG4BC40WPBF | INFINEON |
获取价格 |
ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4BC40WS | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4BC40WSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| IRG4BC40WSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| IRG4BE40FD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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