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IRG4BC40WLPBF

更新时间: 2024-11-02 13:08:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关功率控制双极性晶体管局域网
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35页 97K
描述
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IRG4BC40WLPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.02
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):40 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):110 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-262JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):294 ns标称接通时间 (ton):48 ns
Base Number Matches:1

IRG4BC40WLPBF 数据手册

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Quarterly Reliability Report  
for  
T0247 / T0220 Products Manufactured at  
IRGB  
IGBT / CoPack  
ISSUE.3.  
October 1997  
IGBT / CoPack  
Quarterly Reliability Report  
Page 1 of 35  

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