IRG4BC40WLPBF

更新时间： 2024-09-27 13:08:51

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IRG4BC40WLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.02
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	110 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-262	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	294 ns	标称接通时间 (ton)：	48 ns
Base Number Matches：	1

Quarterly Reliability Report

for

T0247 / T0220 Products Manufactured at

IRGB

IGBT / CoPack

ISSUE.3.

October 1997

IGBT / CoPack

Quarterly Reliability Report

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4BC40WPBF	INFINEON	获取价格	ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40WS	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40WSPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG4BC40WSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG4BE40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40KD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40MD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40SD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
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IRG4BF40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours