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IRG4BC40WSTRLPBF

更新时间: 2024-11-02 13:08:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
35页 97K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRG4BC40WSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.1其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE
最大降落时间(tf):110 ns门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 VJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):160 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):294 ns
标称接通时间 (ton):48 nsBase Number Matches:1

IRG4BC40WSTRLPBF 数据手册

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Quarterly Reliability Report  
for  
T0247 / T0220 Products Manufactured at  
IRGB  
IGBT / CoPack  
ISSUE.3.  
October 1997  
IGBT / CoPack  
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