是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.1 | 其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 40 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 110 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 6 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 160 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 294 ns |
标称接通时间 (ton): | 48 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRG4BE40FD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours | |
IRG4BE40KD | INFINEON |
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IRG4BE40MD | INFINEON |
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IRG4BE40SD | INFINEON |
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IRG4BF40UD | INFINEON |
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