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IRG4BC40WSTRLPBF

更新时间： 2024-09-27 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关功率控制双极性晶体管栅局域网
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35页	97K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRG4BC40WSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.1	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	110 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	294 ns
标称接通时间 (ton)：	48 ns	Base Number Matches：	1

Quarterly Reliability Report

for

T0247 / T0220 Products Manufactured at

IRGB

IGBT / CoPack

ISSUE.3.

October 1997

IGBT / CoPack

Quarterly Reliability Report

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