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IRG4BC40WPBF

更新时间： 2024-11-02 04:44:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制瞄准线栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 204K
描述
ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BC40WPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：110 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：174 ns标称接通时间 (ton)：49 ns
Base Number Matches：1

IRG4BC40WPBF 数据手册

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PD - 95429  
IRG4BC40WPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
• Designed expressly for Switch-Mode Power  
Supply and PFC (power factor correction)  
applications  
• Industry-benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
• Low IGBT conduction losses  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.05V  
G
• Latest-generation IGBT design and construction offers  
tighter parameters distribution, exceptional reliability  
• Lead-Free  
@VGE = 15V, IC = 20A  
E
n-channel  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation than power MOSFETs up to 150 kHz  
("hard switched" mode)  
• Of particular benefit to single-ended converters and  
boost PFC topologies 150W and higher  
• Low conduction losses and minimal minority-carrier  
recombination make these an excellent option for  
resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
40  
IC @ TC = 100°C  
20  
A
ICM  
160  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
160  
VGE  
± 20  
160  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
80  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.5  
–––  
2.0 (0.07)  
–––  
www.irf.com  
1
06/17/04  
1234567...9

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IRG4BC40WPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC40W INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IKP20N60TXKSA1 INFINEON

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PL
IRG4BC30UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT

与IRG4BC40WPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC40WS INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40WSPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG4BC40WSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG4BE40FD INFINEON

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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40KD INFINEON

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