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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.02 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-262 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 294 ns | 标称接通时间 (ton)： | 48 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC40WLPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRG4BC40WPBF | INFINEON |
获取价格 |
ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4BC40WS | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4BC40WSPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| IRG4BC40WSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| IRG4BE40FD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4BE40KD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4BE40MD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4BE40SD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4BE40UD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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