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IRG4BC40SPBF

更新时间： 2024-09-27 04:44:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 582K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

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IRG4BC40SPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.91
Samacsys Description：Infineon IRG4BC40SPBF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-220AB外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：570 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1940 ns
标称接通时间 (ton)：44 ns

IRG4BC40SPBF 数据手册

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PD - 95175  
IRG4BC40SPbF  
Standard Speed IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• Standard: optimized for minimum saturation  
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCES =600V  
V
CE(on) typ. = 1.32V  
G
• Industry standard TO-220AB package  
• Lead-Free  
@VGE = 15V, IC = 31A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBTs  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
60  
IC @ TC = 100°C  
31  
120  
A
ICM  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
120  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
°C  
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
80  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.50  
–––  
2.0 (0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/23/04  
12345678

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IRG4BC40SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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