5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4BC40K
IRG4BC40K PDF预览

IRG4BC40K

更新时间： 2024-11-01 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 157K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG4BC40K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.02其他特性：ULTRA FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：42 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：340 ns标称接通时间 (ton)：48 ns
Base Number Matches：1

IRG4BC40K 数据手册

 浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG4BC40K的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91592B  
IRG4BC40K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Short Circuit Rated UltraFast: optimized for high  
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit  
Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency  
than Generation 3  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.1V  
G
• Industry standard TO-247AC package  
@VGE = 15V, IC = 25A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
42  
IC @ TC = 100°C  
25  
A
ICM  
84  
ILM  
84  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
20  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
160  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
80  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.50  
–––  
2 (0.07)  
–––  
www.irf.com  
1
4/17/2000  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRG4BC40K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC40KPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IRG4BC40K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC40KD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC40KPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40MD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC40S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=1
IRG4BC40SD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC40SPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4BC40U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4BC40UD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC40UPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40W INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

与IRG4BC40K相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证