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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 43 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ24AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ24F | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRFZ24FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ24L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFZ24L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFZ24LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
|
| IRFZ24N | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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| IRFZ24N,127 | NXP |
获取价格 |
IRFZ24N |
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| IRFZ24NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
|
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