5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFZ24AJ69Z
IRFZ24AJ69Z PDF预览

IRFZ24AJ69Z

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 220K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ24AJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59雪崩能效等级（Eas）：149 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ24AJ69Z 数据手册

 浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ24AJ69Z的Datasheet PDF文件第7页 
IRFZ24A  
FEATURES  
BVDSS = 60 V  
RDS(on) = 0.07Ω  
ID = 17 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220  
175 C Operating Temperature  
°
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 60V  
µ
Lower RDS(ON): 0.050 (Typ.)  
♦
µ
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
60  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
17  
ID  
A
12  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
68  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
20  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
149  
17  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
4.4  
5.5  
44  
mJ  
V/ns  
W
PD  
TJ , TSTG  
TL  
0.29  
W/°C  
Operating Junction and  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
°C  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
3.43  
--  
Units  
--  
0.5  
--  
RθCS  
°C/W  
RθJA  
62.5  
Junction-to-Ambient  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRFZ24AJ69Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ24F INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFZ24FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFZ24L INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFZ24L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFZ24LPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFZ24N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
IRFZ24N NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ24N,127 NXP

获取价格

 		IRFZ24N
IRFZ24NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
IRFZ24NL TRSYS

获取价格

 		Power MOSFET

与IRFZ24AJ69Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证