是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 980 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (ID): | 25 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-258AA |
JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFV360U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-258VAR | |
IRFV360UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFV460 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED | |
IRFV460D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258VAR | |
IRFV460U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258VAR | |
IRFV460UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFW/IZ44A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET | |
IRFW14A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB | |
IRFW150A | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFW24A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |