5秒后页面跳转
IRFU9222 PDF预览

IRFU9222

更新时间: 2024-09-14 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRFU9222 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):2.8 A
最大漏源导通电阻:2.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFU9222 数据手册

  

与IRFU9222相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFU9310 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFU9310 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFU9310 KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFU9310PBF INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET
IRFU9310PBF KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFU9310PBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFU9N20D INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)
IRFU9N20D KERSEMI

获取价格

SMPS MOSFET
IRFU9N20DPBF KERSEMI

获取价格

SMPS MOSFET
IRFU9N20DPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET