生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.8 A |
最大漏源导通电阻: | 2.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU9310 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) | |
IRFU9310 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU9310 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU9310PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFU9310PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU9310PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU9N20D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A) | |
IRFU9N20D | KERSEMI |
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SMPS MOSFET | |
IRFU9N20DPBF | KERSEMI |
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SMPS MOSFET | |
IRFU9N20DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |