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IRFV064

更新时间: 2024-09-13 23:14:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 219K
描述
HEXFET TRANSISTOR, N-CHANNEL

IRFV064 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.23雪崩能效等级(Eas):620 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):45 A
最大漏极电流 (ID):45 A最大漏源导通电阻:0.017 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-258AA
JESD-30 代码:R-XSFM-P3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFV064 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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