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IRFU3711ZPBF

更新时间: 2024-11-24 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
12页 264K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFU3711ZPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:722944Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-251AASamacsys Released Date:2017-04-30 15:04:32
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):140 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.0057 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):370 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFU3711ZPBF 数据手册

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PD - 95074A  
IRFR3711ZPbF  
IRFU3711ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l Lead-Free  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
18nC  
5.7m  
20V  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3711Z  
I-Pak  
IRFU3711Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
20  
Units  
V
VDS  
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
93  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
D
D
66  
A
370  
79  
DM  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
P
P
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
W
D
D
39  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.53  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
Notes  through are on page 11  
www.irf.com  
1
12/13/04  

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