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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU1205 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFU1205 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=4 |
|
| IRFU1205PBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-RESISTANCE |
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| IRFU1205PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFU120N | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU120N | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR120N) |
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| IRFU120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Fast Switching |
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| IRFU120NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N) |
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| IRFU120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
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