IRFU1205PBF

更新时间： 2024-02-07 19:24:00

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IRFU1205PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 95600A

IRFR/U1205PbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFU120A	FAIRCHILD	Advanced Power MOSFET	获取价格
IRFU120N	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFU120N	KERSEMI	Surface Mount (IRFR120N)	获取价格
IRFU120NPBF	INFINEON	Fast Switching	获取价格
IRFU120NPBF	KERSEMI	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)	获取价格
IRFU120PBF	INFINEON	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =	获取价格