IRFU1205PBF

更新时间： 2024-11-25 03:37:07

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IRFU1205PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	69 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 95600A

IRFR/U1205PbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR1205TRPBF	INFINEON	类似代替	Ultra Low On-Resistance
IRFU1205	INFINEON	类似代替	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=4
IRF9Z34NPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ POWER MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU120A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFU120N	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFU120N	KERSEMI	获取价格	Surface Mount (IRFR120N)
IRFU120NPBF	INFINEON	获取价格	Fast Switching
IRFU120NPBF	KERSEMI	获取价格	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)
IRFU120PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =
IRFU120PBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFU120PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU120TR	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFU120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET