5秒后页面跳转
IRFU120TR PDF预览

IRFU120TR

更新时间: 2024-02-18 14:44:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
6页 173K
描述
HEXFET POWER MOSFET

IRFU120TR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251AA
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.27Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):18 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):8.7 A
最大漏极电流 (ID):8.7 A最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):35 W最大脉冲漏极电流 (IDM):35 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFU120TR 数据手册

 浏览型号IRFU120TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFU120TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU120TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU120TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU120TR的Datasheet PDF文件第6页 

与IRFU120TR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFU120Z INFINEON AUTOMOTIVE MOSFET

获取价格

IRFU120ZPBF INFINEON AUTOMOTIVE MOSFET

获取价格

IRFU121 RENESAS 8.4A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

获取价格

IRFU12N25D INFINEON SMPS MOSFET

获取价格

IRFU12N25DPBF KERSEMI SMPS MOSFET

获取价格

IRFU12N25DPBF INFINEON HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)ma

获取价格