IRFU13N20DPBF

更新时间： 2024-11-27 04:23:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
11页	685K
描述
SMPS MOSFET ( VDSS=200V , RDS(on)max=0.235ヘ , ID=13A )

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU13N20DPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.57	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.235 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD-95354A

IRFR13N20DPbF

IRFU13N20DPbF

SMPS MOSFET

Lead-Free

www.irf.com

1/17/05

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU13N20D	INFINEON	功能相似	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)