IRFU120PBF

更新时间： 2024-11-25 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
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IRFR120

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IRFU120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	6.93
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	7.7 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU120PBF 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR120/SiHFR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.4

7.7

• Straight Lead (IRFU120/SiHFU120)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120PbF

SiHFR120-E3

IRFR120

DPAK (TO-252)

IRFR120TRPbF^a

SiHFR120T-E3^a

IRFR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRRPbF^a

SiHFR120TR-E3^a

IRFR120TRR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU120PbF

SiHFU120-E3

IRFU120

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR120

SiHFR120T^a

SiHFR120TR^a

SiHFR120TL^a

SiHFU120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91266

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU120TR	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFU120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU120ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU121	RENESAS	获取价格	8.4A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU12N25D	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFU12N25DPBF	KERSEMI	获取价格	SMPS MOSFET
IRFU12N25DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)ma
IRFU130	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFU130A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
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