IRFR9214PBF

更新时间： 2024-11-06 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	156K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR9214PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.06
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	186849	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：	TO-252AA	Samacsys Released Date：	2015-12-27 16:31:34
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR9214PBF 数据手册

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• P-Channel

- 250

Available

• Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214)

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.1

6.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9214TRPbF^a

SiHFR9214T-E3^a

IRFR9214TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9214PbF

SiHFU9214-E3

IRFU9214

IRFR9214PbF

SiHFR9214-E3

IRFR9214

IRFR9214TRLPbF^a

SiHFR9214TL-E3^a

IRFR9214TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9214

SiHFR9214TL^a

SiHFR9214T^a

SiHFU9214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 250

V_GS

_C= 25 °C

- 2.7

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 1.7

- 11

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

100

- 2.7

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 27 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.7 A, dI/dt ≤ 600 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91282

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFR9214PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RF1S9630SM	INTERSIL	功能相似	6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9630	INTERSIL	功能相似	6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
2SJ117	HITACHI	功能相似	Silicon P-Channel MOS FET

与IRFR9214PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9214TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFR9214TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFR9214TRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFR9214TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFR9214PBF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR9214PBF

IRFR9214PBF 技术参数

IRFR9214PBF 数据手册

IRFR9214PBF 替代型号

与IRFR9214PBF相关器件

与IRFR9214PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR9214PBF

IRFR9214PBF 技术参数

IRFR9214PBF 数据手册

IRFR9214PBF 替代型号

与IRFR9214PBF相关器件

与IRFR9214PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？