IRFR9214TR

更新时间： 2024-11-06 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFR9214TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR9214TR 数据手册

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• P-Channel

- 250

Available

• Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214)

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.1

6.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9214TRPbF^a

SiHFR9214T-E3^a

IRFR9214TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9214PbF

SiHFU9214-E3

IRFU9214

IRFR9214PbF

SiHFR9214-E3

IRFR9214

IRFR9214TRLPbF^a

SiHFR9214TL-E3^a

IRFR9214TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9214

SiHFR9214TL^a

SiHFR9214T^a

SiHFU9214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 250

V_GS

_C= 25 °C

- 2.7

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 1.7

- 11

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

100

- 2.7

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 27 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.7 A, dI/dt ≤ 600 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91282

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9214TRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFR9214TRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFR9214TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9214TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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