IRFR9220TRL

更新时间： 2024-11-06 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	2043K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR9220TRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.07	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR9220TRL 数据手册

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.5

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9220/SiHFR9220)

• Straight Lead (IRFUFU9220/SiHFU9220)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third Power MOSFETs technology is the key to Vishay

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of the Power MOSFETs

design achieve very low on-state resistance combined with

high transconductance and extreme device ruggedness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9220PbF

SiHFR9220-E3

IRFR9220

DPAK (TO-252)

IIRFR9220TRLPbF^a

SiHFR9220TL-E3^a

IRFR9220TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR9220TRRPbF^a

SiHFR9220TR-E3^a

IRFR9220TRR^a

SiHFR9220TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR9220TRPbF^a

SiHFR9220T-E3^a

IRFR9220TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9220PbF

SiHFU9220-E3

IRFU9220

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9220

SiHFR9220TL^a

SiHFR9220T^a

SiHFU9220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 3.6

- 2.3

- 14

0.33

0.020

310

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

- 3.6

4.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 35 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 3.9 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91283

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFR9220TRL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR9220TRLPBF	VISHAY	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRFR9220TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9220TRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9220TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFR9220TRPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9220TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9220TRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9220TRR	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9220TRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9220TRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9220TRRPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9220TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFR9220TRL相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR9220TRL

IRFR9220TRL 技术参数

IRFR9220TRL 数据手册

IRFR9220TRL 替代型号

与IRFR9220TRL相关器件

与IRFR9220TRL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR9220TRL

IRFR9220TRL 技术参数

IRFR9220TRL 数据手册

IRFR9220TRL 替代型号

与IRFR9220TRL相关器件

与IRFR9220TRL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？