是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.6 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD5P20TF | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
FQD5P20 | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V P-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR92209A | RENESAS |
获取价格 |
3.6A, 200V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | |
IRFR9220PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR9220PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFR9220TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR9220TR | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating | |
IRFR9220TRA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR9220TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR9220TRL | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |