IRFP460

更新时间： 2024-11-26 22:51:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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IRFP460 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP460 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

PowerMOS transistors

Avalanche energy rated

IRFP460

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast switching

V_DSS= 500 V

I_D= 20 A

• Stable off-state characteristics

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 0.27 Ω

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT429 (TO247)

N-channel, enhancement mode

DESCRIPTION

field-effect

power

transistor,

intended for use in off-line switched

mode power supplies, T.V. and

computer monitor power supplies,

d.c.tod.c. converters, motorcontrol

circuits and general purpose

switching applications.

gate

drain

source

drain

tab

The IRFP460 is supplied in the

SOT429 (TO247) conventional

leaded package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C

500

± 30

Drain-gate voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C; R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

12.4

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total dissipation

Operating junction and

storage temperature range

T_mb= 25 ˚C

250

150

˚C

- 55

AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

E_AS

Non-repetitive avalanche

energy

Unclamped inductive load, I_AS= 20 A;

t_p= 0.2 ms; T_jprior to avalanche = 25˚C;

1300

_DD≤ 50 V; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V

E_AR

Repetitive avalanche energy¹I_AR= 20 A; t_p= 2.5 µs; T_jprior to

avalanche = 25˚C; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V

Repetitive and non-repetitive

I_AS, I_AR

avalanche current

1 pulse width and repetition rate limited by T_jmax.

September 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP460A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP460APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET ( VDSS=500V , RDS(on)max=0.27ヘ ,
IRFP460AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460B, SiHG460B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460BPBF	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460C	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFP460HPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP460LC	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)

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