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IRFP353

更新时间: 2024-01-25 02:35:30
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 219K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP353 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:350 V最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):13 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):180 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFP353 数据手册

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