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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 181 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 95 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP350FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP350LC | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) |
|
| IRFP350LC | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP350LCPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP350R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP351 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP351R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP352 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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