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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP351R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP352 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP352R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP353 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP353R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP354 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.35ohm, Id=14A) |
|
| IRFP354PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢PowerMOSFET |
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| IRFP360 | INTERSIL |
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23A, 400V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFP360 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A) |
|
| IRFP360 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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